三星电子开发业界首创的12层3D TSV芯片封装技术

2019-10-08 16:32 次阅读

这项新技术允许使用超过60,000个TSV孔堆叠12个DRAM芯片,同时保持与当前8层芯片相同的厚度。

全球先进半导体技术的领导者三星电子今天宣布,它已开发出业界首个12层3D-TSV(直通硅通孔)技术。

三星的创新被认为是大规模生产高性能芯片的最具挑战性的封装技术之一,因为它需要精确的精度才能通过具有60,000多个TSV孔的三维配置垂直互连12个DRAM芯片。

封装的厚度(720um)与当前的8层高带宽存储器(HBM2)产品相同,这在组件设计上是一项重大进步。这将帮助客户发布具有更高性能容量的下一代大容量产品,而无需更改其系统配置设计。


图1:PKG截面结构

此外,3D封装技术还具有比当前现有的引线键合技术短的芯片间数据传输时间,从而显着提高了速度并降低了功耗。

三星电子TSP(测试与系统封装)执行副总裁Hong-Joo Baek表示:“随着各种新时代的应用(例如人工智能(AI)和高功率计算(HPC)),确保超高性能存储器的所有复杂性的封装技术变得越来越重要。”

随着摩尔定律的扩展达到极限,预计3D-TSV技术的作用将变得更加关键。我们希望站在这一最新的芯片封装技术的最前沿。”

依靠其12层3D-TSV技术,三星将为数据密集型和超高速应用提供最高的DRAM性能。

而且,通过将堆叠层数从8个增加到12个,三星很快将能够批量生产24GB高带宽内存,其容量是当今市场上8GB高带宽内存的三倍。


图2:引线键合与TSV技术

三星将凭借其尖端的12层3D TSV技术满足快速增长的大容量HBM解决方案市场需求,并希望巩固其在高端半导体市场的领先地位。

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